特許

J-GLOBAL ID：201103091619528270

相補型電界効果トランジスタ構造およびその製造方法

発明者： ジェイムス・エイ・マイスウイッチ ,  アレジャンドロ・ジー・シュロット ,  ブルース・エイ・スコット
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131749
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332133
特許番号：特許第3534394号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】相補型電界効果トランジスタ構造を製造する方法において、基板上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の上部に第1のタイプのモット・チャネル層を形成する工程と、前記剥離層及び前記基板を剥離する工程と、前記第1のタイプのモット・チャンネル層の上にバインダもしくは充填剤を介して基板を接合する工程と、前記第1のタイプのモット・チャネル層に近接した第2のタイプのモット・チャネル層を形成する工程とを含み、前記第1のタイプのモット・チャネル層は、前記第2のタイプのモット・チャネル層に相補的である、ことを特徴とする製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 622

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 超電導トランジスタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-292437   出願人：株式会社日立製作所
• 相補型超伝導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156468   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平4-359562
  
• 特開平3-079081
  
• スイッチング素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284927   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 超電導トランジスタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-292437   出願人：株式会社日立製作所
• 相補型超伝導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156468   出願人：セイコーエプソン株式会社