特許
J-GLOBAL ID：201103091717783262
電圧・電流特性調整方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠彦
, 山口 昭則
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-356009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-163893
特許番号：特許第4443759号
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 不揮発性半導体記憶装置において、第1のリファレンスセルトランジスタと、該第1のリファレンスセルトランジスタに直列に接続される第2のリファレンスセルトランジスタと、該第1のリファレンスセルトランジスタと該第2のリファレンスセルトランジスタとの直列接続に並列に接続される第3のリファレンスセルトランジスタとを含み、該第1乃至第3のリファレンスセルトランジスタのゲートに同一のゲート電圧を供給して、該直列接続に流れる電流と該第3のリファレンスセルトランジスタに流れる電流とを合計した電流をメモリセルのデータ電流と比較する構成において、
該第1乃至第3のリファレンスセルトランジスタの閾値電圧Vt0乃至Vt2をVt1<Vt0<Vt2となるように設定し、
上記閾値電圧間の関係を満たしながらVt1或いはVt2を調整することで該ゲート電圧と該合計電流との間の電圧・電流特性の傾きを調整する
各段階を含むことを特徴とする電圧・電流特性調整方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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