光起電力素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182677
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082831
特許番号：特許第3869978号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 p型半導体層と、酸化インジウム錫からなる透明導電層とが面で接合している光起電力素子において、該透明導電層は複数の層からなり、該複数の層のうち前記p型半導体層と透明導電層の接合面に最も近い層の酸化錫の含有率と錫の含有率との和が、10モル%以下であって、他の層の酸化錫の含有率と錫の含有率との和よりも小さく、かつ、前記複数の層のうち酸化錫の含有率と錫の含有率の和が最も大きい層の酸化錫の含有率と錫の含有率との和が12モル%以上30モル%以下であり、前記接合面に最も近い層の厚さが前記透明導電層全体の厚さの半分以下であり、前記酸化錫の含有率と錫の含有率の和が最も大きい層の厚さが前記透明導電層全体の厚さの半分以上であることを特徴とする光起電力素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/04 M

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭61-141185
特開昭56-086407
光起電力素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-244934 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (8件)

特開昭61-141185
特開昭56-086407
光起電力素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-244934 出願人：キヤノン株式会社

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