非線形素子、該非線形素子を有する表示装置および該表示装置を有する電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-239780
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119673
出願日： 2010年10月26日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供する。【解決手段】水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φmsと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φmdと、酸化物半導体の電子親和力χが、φms≦χ<φmdの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に形成される第1の電極と、前記第1の電極上に接して形成される二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に接して形成される第2の電極と、を有し、前記第1の電極の仕事関数φma、前記酸化物半導体層の電子親和力χ、前記第2の電極の仕事関数φmcが、φmc≦χ<φmaであることを特徴とする非線形素子。

IPC (3件)：

H01L 29/861 , H01L 29/786 , H01L 21/28

FI (9件)：

H01L29/91 F , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/78 617U , H01L29/78 623A , H01L29/91 D , H01L29/91 L , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R

Fターム (94件)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104FF04 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG08 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA22 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD24 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE29 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM03 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ03 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

薄膜半導体装置及びその製造方法、電気光学装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-114230 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体集積回路及びコンデンサ・マイクロフォン
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-067312 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
酸化物半導体を用いた表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-328307 出願人：キヤノン株式会社

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