特許
J-GLOBAL ID:201103092565957592

導電性酸化物及びその製造方法、並びにそれを用いた透明導電膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-186354
公開番号(公開出願番号):特開2011-040270
出願日: 2009年08月11日
公開日(公表日): 2011年02月24日
要約:
【課題】インジウムの含有量を低減させているにも拘らず、十分に高い光透過性及び十分に低い抵抗率を有する導電性酸化物を提供すること。【解決手段】酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が2.6〜47.2at%であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が2.7〜14.5at%であることを特徴とする導電性酸化物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸化インジウム及び酸化スズからなるインジウムスズ複合酸化物と、前記インジウムスズ複合酸化物にドープされたアンチモンとを含有する導電性酸化物であって、前記インジウムスズ複合酸化物中のインジウム及びスズの合計量に対するスズの含有量の原子比率が8.8〜46.5at%であり、且つ、前記導電性酸化物中のインジウム、スズ及びアンチモンの合計量に対するアンチモンの含有量の原子比率が2.7〜14.5at%であることを特徴とする導電性酸化物。
IPC (6件):
H01B 5/14 ,  H01B 1/08 ,  H01B 13/00 ,  C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/00
FI (6件):
H01B5/14 A ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 511Z ,  C23C14/34 A ,  C04B35/00 R ,  C04B35/00 J
Fターム (29件):
4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030AA42 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA22 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC26 ,  4K029GA01 ,  5G301CA02 ,  5G301CA15 ,  5G301CA22 ,  5G301CA23 ,  5G301CD03 ,  5G301CE01 ,  5G301CE02 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10

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