特許
J-GLOBAL ID：201103092736809880

レーザー処理方法、およびメモリ装置の作製方法、並びに絶縁ゲート型半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
竹村 保彦

竹村 保彦 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


代理人 (4件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  福田 武通 ,  加藤 恭介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203281
特許番号：特許第3663352号
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体上にフローティングゲートを含む第1のゲート部及び第2のゲート部を形成し、 前記第1のゲート部、前記第2のゲート部及びマスク材をマスクとして用いたイオン注入によって不純物を前記半導体に注入し、加熱することによって前記第1のゲート部及び前記第2のゲート部の間に一方の不純物領域を形成し、 前記マスク材を除去した後、前記第1のゲート部及び前記第2のゲート部をマスクとして用いたレーザードーピングによって不純物を前記半導体に注入して、前記第1のゲート部及び前記第2のゲート部の外側に他方の不純物領域を形成するレーザー処理方法であって、 前記レーザードーピングは、線状の長方形のレーザービームを用いて行われ、 前記他方の不純物領域の深さは、前記一方の不純物領域よりも浅い0.1μm以下で、かつ前記一方の不純物領域と前記他方の不純物領域とが接触していないことを特徴とするレーザー処理方法。
IPC (8件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/22 E ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 F
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (19件)
  • レーザードーピング処理方法および絶縁ゲイト型半導体 装置とその作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-316138   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭57-148374
  • 特開昭50-156377
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