特許
J-GLOBAL ID：201103092884916165
バイポーラ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三品 岩男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087444
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085446
特許番号：特許第3552989号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の導電型半導体物質でコレクタ薄膜を形成する段階と、前記コレクタ薄膜の上に第2の導電型半導体物質でベース薄膜を形成する段階と、前記ベース薄膜のうち、第1のベース半導体電極を露出させてベース活性領域を覆うマスキング膜を形成する段階と、選択的な結晶成長法で前記第1のベース半導体電極上に第2のベース半導体電極を形成する段階と、前記第2のベース半導体電極上に金属をスパッタリングすることにより、シリサイドを含むベースオーミック電極を、前記第2のベース半導体電極及び前記第1のベース半導体電極を挟んで前記コレクタ薄膜に重なるように、前記第2のベース半導体電極上に形成する段階と、を備えることを特徴とする、バイポーラ素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/165
, H01L 29/737
H01L 29/72 H
, H01L 29/165
