特許
J-GLOBAL ID:201103093024396942
誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
進藤 素子
, 東口 倫昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-220429
公開番号(公開出願番号):特開2011-072112
出願日: 2009年09月25日
公開日(公表日): 2011年04月07日
要約:
【課題】 体積抵抗率を低下させずに、比誘電率が大きい誘電膜を提供する。また、耐絶縁破壊性、電場応答性に優れたトランスデューサを提供する。【解決手段】 誘電膜は、エラストマーと、該エラストマーよりも比誘電率が大きく該エラストマーと結合可能な極性化合物と、を含むエラストマー組成物を架橋した架橋体からなる。該架橋体において、該極性化合物は、該エラストマーにグラフト結合されている。この誘電膜を、少なくとも一対の電極間に介装して、トランスデューサを構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
トランスデューサにおいて少なくとも一対の電極間に介装される誘電膜であって、
エラストマーと、該エラストマーよりも比誘電率が大きく該エラストマーと結合可能な極性化合物と、を含むエラストマー組成物を架橋した架橋体からなり、
該架橋体において、該極性化合物は該エラストマーにグラフト結合されていることを特徴とする誘電膜。
IPC (6件):
H02N 11/00
, C08L 101/02
, C08L 101/12
, H04R 19/02
, H04R 19/04
, C08J 5/18
FI (6件):
H02N11/00 Z
, C08L101/02
, C08L101/12
, H04R19/02
, H04R19/04
, C08J5/18
Fターム (32件):
4F071AA12
, 4F071AA13
, 4F071AC04
, 4F071AF05
, 4F071AF37
, 4F071AF40
, 4F071AH12
, 4F071BB02
, 4F071BC01
, 4F071BC17
, 4J002AC011
, 4J002AC061
, 4J002AC071
, 4J002AC091
, 4J002BB151
, 4J002BB181
, 4J002BC051
, 4J002BD001
, 4J002BD121
, 4J002BD171
, 4J002BF021
, 4J002BF031
, 4J002BG041
, 4J002BG042
, 4J002BG102
, 4J002CD051
, 4J002CK021
, 4J002CN002
, 4J002CP031
, 4J002FD142
, 4J002GQ00
, 5D021CC17
引用特許: