特許
J-GLOBAL ID:201103093095803867

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 小島 隆司 ,  西川 裕子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-393302
公開番号(公開出願番号):特開2003-192733
特許番号:特許第3874092号
出願日: 2001年12月26日
公開日(公表日): 2003年07月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記一般式(1a)及び(1b)の繰り返し単位を含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。 (式中、R1及びR2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R3はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R4は酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R5は酸素原子又は硫黄原子である。R6a、R6b、R6c及びR6dは、水素原子、水酸基、-(CH2)dC(R7)2(OR8)、-(CH2)dCO2R8、又は置換基内に水酸基又はエーテル結合の形で酸素を含有可能な炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R7は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R8は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。a、bは各繰り返し単位の存在比を示し、a+b=1において、aは0.2〜0.9、bは0.1〜0.8である。cは0又は1である。0≦d≦6である。)
IPC (4件):
C08F 220/10 ( 200 6.01) ,  C08F 234/00 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (4件):
C08F 220/10 ,  C08F 234/00 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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