半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：青山葆 , 山崎宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140051
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326409
特許番号：特許第3766780号
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体レーザと、上記半導体レーザの後端面からの光出力をモニターするためのモニタ用受光素子と、上記半導体レーザの前端面からの光出力の反射光を受光する信号受光用受光素子とを有する半導体レーザ装置において、上記半導体レーザの後端面と上記モニタ用受光素子との間の光路外に光が出ないように上記光路を覆う遮光性樹脂からなる遮光部を設け、上記半導体レーザと上記モニタ用受光素子との間隔を0.1mm以上2mm以下とし、上記遮光性樹脂の粘性と上記間隔により、上記遮光性樹脂で覆われた空間が上記光路に形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3件)：