特許
J-GLOBAL ID：201103094181936000
多層配線構造体及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085518
特許番号：特許第4034482号
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属配線又は金属接続配線もしくは金属配線及び金属接続配線が埋め込まれ、且つエッジカット領域を有する絶縁膜を複数層積層してなる多層配線構造を有する半導体基板を具備し、上層の絶縁膜のエッジカット領域は、下層の絶縁膜のエッジカット領域の外側まで延在しており、前記積層された絶縁膜の少なくとも1層は、銅もしくは銅合金からなる金属配線又は金属接続配線もしくは金属配線及び金属接続配線が埋め込まれ、前記積層された絶縁膜の各層表面は、エッジカット領域の側壁部分を含めて銅の拡散を防止する拡散防止膜により被覆されていることを特徴とする多層配線構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 23/52 ( 200 6.01)
H01L 21/90 A
, H01L 21/88 T
