特許

J-GLOBAL ID：201103094320531983

紫外線受光素子

発明者： 平野 光 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-397109
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197946
特許番号：特許第3894790号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】AlxGa1-xN(0≦x≦1)からなるn型半導体層を少なくとも有するデバイス構造と、前記デバイス構造の所定部位に設けられた一対の電極とを備えてなり、前記デバイス構造中の単数または複数の半導体層によって受光領域が形成されてなる紫外線受光素子であって、 前記n型半導体層上に設けられた前記電極の1つがZrB2を含んで構成されたオーミック電極である紫外線受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 31/10 H