半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-314083
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135783
特許番号：特許第3570672号
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の半導体チップと、この第1の半導体チップに重ね合わせ、バンプを介して接合された第2の半導体チップと、上記第1の半導体チップと上記第2の半導体チップとの間に設けられ、上記第1の半導体チップおよび第2の半導体チップの少なくともいずれか一方の表面保護膜上に上記バンプよりも大きく形成された金属膜からなり、上記第2の半導体チップが発生する熱の放熱経路を形成する熱伝導体と、この熱伝導体を放熱部に熱的に接続する接続部材とを含み、上記金属膜が上記バンプと同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：