特許

J-GLOBAL ID：201103094896071490

高温超伝導デバイス

発明者： 中西 輝 ,  赤瀬川 章彦 ,  山中 一典
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210765
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026408
特許番号：特許第4519279号
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】YBa2Cu3O7-x膜と電極とが積層形成された高温超伝導デバイスであって、 該積層形成により該YBa2Cu3O7-x膜の主面と該電極とに生じる界面に、該YBa2Cu3O7-x膜の構成物質と該電極の一部を構成するチタンとの加熱反応で生成されたチタン化合物が介在してなること を特徴とする高温超伝導デバイス。

IPC (2件)：

H01L 39/24 ( 200 6.01) ,  H01L 39/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 39/24 ZAA Z ,  H01L 39/02 ZAA Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超伝導平面回路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-013825   出願人：株式会社移動体通信先端技術研究所
• 超電導薄膜およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231813   出願人：住友電気工業株式会社