特許
J-GLOBAL ID：201103095047667520

ハーフトーンマスクの製造方法

発明者：
磯▲崎▼ 達也

磯▲崎▼ 達也 について

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中村 大介

中村 大介 について

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影山 景弘

影山 景弘 について


出願人/特許権者：
アルバック成膜株式会社

アルバック成膜株式会社 について


代理人 (2件)： 大森 純一 ,  折居 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-156242
公開番号（公開出願番号）：特開2011-013382
出願日： 2009年06月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること【解決手段】透光層2、半透光層3及び遮光層4がこの順で積層されたマスクブランクス1’上にフォトレジストRを塗布し、露光することで第1のレジスト領域R1と、第2のレジスト領域R2と、第3のレジスト領域R3を形成し、第1のレジスト領域R1を現像液で除去することで、第1の遮光層領域4aをエッチングするためのマスクを形成し、第1の遮光層領域4aをエッチングし、半透光層領域3aをエッチングし、第2のレジスト領域R2を現像液で除去することで、第2の遮光層領域4bをエッチングするためのマスクを第3のレジスト領域R3によって形成し、第2の遮光層領域4bをエッチングする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
透光層、半透光層及び遮光層がこの順で積層されたマスクブランクス上にフォトレジストを塗布し、 前記フォトレジストを露光することで、第1のレジスト領域と、前記第1のレジスト領域よりも現像液で除去され難い第2のレジスト領域と、前記第2のレジスト領域よりも前記現像液で除去され難い第3のレジスト領域を形成し、 前記第1のレジスト領域を前記現像液で除去することで、前記第1のレジスト領域に対応する第1の遮光層領域をエッチングするためのマスクを前記第2及び第3のレジスト領域によって形成し、 前記第1の遮光層領域をエッチングし、 前記第1のレジスト領域に対応する半透光層領域をエッチングし、 前記第2のレジスト領域を前記現像液で除去することで、前記第2のレジスト領域に対応する第2の遮光層領域をエッチングするためのマスクを前記第3のレジスト領域によって形成し、 前記第2の遮光層領域をエッチングする ハーフトーンマスクの製造方法。
IPC (1件)：
G03F 1/08
FI (1件)：
G03F1/08 A
Fターム (8件)：
2H095BB03 ,  2H095BB07 ,  2H095BB15 ,  2H095BB18 ,  2H095BB32 ,  2H095BB33 ,  2H095BB36 ,  2H095BC24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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