特許
J-GLOBAL ID：201103095057263592

多バンド超伝導体及び該超伝導体を用いた超伝導デバイス並びに該超伝導体の作成方法

発明者：
田中 康資

田中 康資 について

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伊豫 彰

伊豫 彰 について

, 
シラゲ パラシャラム

シラゲ パラシャラム について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-189974
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044460
出願日： 2009年08月19日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：
【課題】2バンド超伝導体を代表とする多バンド超伝導体において、ドメイン構造をとることが困難であり、ドメイン壁を薄くするために、ドメイン壁の生成エネルギーを大きくするとドメイン壁が作りづらいという問題があった。ドメイン壁を超伝導体内に発生せしめて、磁束のピン止めの向上と、ドメイン壁を使った情報処理技術を提供することを目的とする。【解決手段】バンド間位相差の2πの周期で変動するポテンシャルと、π以下で変動するポテンシャルを拮抗せしめ、それによって、多バンド超伝導体の中に、時間対称性の破れを生じさせ、ドメイン壁の薄いドメイン構造を有する多バンド超伝導体を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
超伝導環境下において、バンド間位相差の2πの周期で変わるバンド間ジョセフソン相互作用によるポテンシャルに、π以下の周期で変動するポテンシャルを導入して、両者を拮抗させて、時間反転対称性の破れが生じていることを特徴とする多バンド超伝導体。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ,  C01G 1/00 ,  C01G 49/00
FI (3件)：
H01L39/22 A ,  C01G1/00 S ,  C01G49/00 C
Fターム (7件)：
4G002AA13 ,  4G002AE02 ,  4G047JC16 ,  4G047LB03 ,  4M113AA00 ,  4M113AA41 ,  4M113CA11
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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