特許

J-GLOBAL ID：201103095078472604

電力用半導体素子のスナバ回路

発明者： 滝沢 聡毅 ,  鷁頭 政和
出願人/特許権者： 富士電機システムズ株式会社
代理人 (2件)： 山口 巖 ,  松崎 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-169272
公開番号（公開出願番号）：特開2011-024381
出願日： 2009年07月17日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：

【課題】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子のスイッチング損失を大幅に増加させることなく、その過電圧保護が可能なスナバ回路を提供する。【解決手段】電力変換器を構成する電力半導体スイッチ素子4に対し、逆直列接続したツェナーダイオード91,92とコンデンサ10との直列接続回路を並列に接続することにより、素子4のターンオフ時のサージのみならずダイオード5の逆回復時のサージをも抑制可能にする。これにより、小型で低損失のシステムが構築可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電力変換器の各アームを構成する、電力半導体スイッチ素子とダイオードとの逆並列回路を過電圧から保護すべくアーム毎に設けられるスナバ回路であって、 逆直列接続したツェナーダイオードとコンデンサとの直列接続回路を、前記逆並列回路に対し並列に接続したことを特徴とする電力半導体素子用のスナバ回路。

IPC (2件)：

H02M 7/48 ,  H02M 1/34

FI (2件)：

H02M7/48 K ,  H02M1/34

Fターム (18件)：

5H007AA03 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC07 ,  5H007FA01 ,  5H007FA13 ,  5H007FA20 ,  5H740AA04 ,  5H740BA11 ,  5H740BA12 ,  5H740BB05 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JB01 ,  5H740KK01 ,  5H740MM03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-198618
  
• スイッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-302925   出願人：トヨタ自動車株式会社
• 特開平3-198618