溝を有する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 伊藤英彦 , 堀井豊 , 森下八郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-309022
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118256
特許番号：特許第4285899号
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の主表面に素子と溝とが交互に繰返し配置されており、前記溝と交互に繰返し配置された複数の前記素子の各々は同じ動作モードで動作する構成を有し、かつ前記溝を埋込む絶縁膜は前記素子の最も大きい電界がかかるpn接合の付近や前記pn接合よりも浅い位置に隙間を有しておらず、前記溝を埋込む前記絶縁膜は、前記溝の壁面に接して形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜よりも前記溝の内側に位置する第2の絶縁膜とを有し、前記第1の絶縁膜は、前記溝の開口端コーナー部よりも緩やかな傾斜で外方に広がる上端コーナ部を有している、溝を有する半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/76 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 652 R , H01L 21/316 X , H01L 21/76 L , H01L 27/08 102 E , H01L 29/78 658 F , H01L 27/08 331 A , H01L 29/78 658 G , H01L 29/78 658 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-105947
特開昭60-124839
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-068333 出願人：株式会社東芝

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