特許
J-GLOBAL ID:201103095747193830

ヒ酸鉄化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 杉村 憲司 ,  来間 清志 ,  高梨 玲子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-063060
公開番号(公開出願番号):特開2011-195367
出願日: 2010年03月18日
公開日(公表日): 2011年10月06日
要約:
【課題】ヒ素溶液から、結晶性が良くヒ素の溶出濃度が低いヒ酸鉄化合物を析出させる反応を、短時間で終了させることが可能であり、且つヒ酸鉄化合物への銅の付着量を少なくすることが可能であるヒ酸鉄化合物の製造方法を提供する。【解決手段】ヒ素溶液に2価の鉄イオンを加えて、2価の鉄イオンを酸化する目的で酸化剤を加えて攪拌しながら反応させる工程において、結晶性のヒ酸鉄化合物が生成した後に銅含有物質を添加する工程を含むことを特徴とする。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ヒ素溶液と2価鉄とを、常圧下で酸化剤と反応させてヒ酸鉄化合物を析出させる工程を含むヒ酸鉄化合物の製造方法において、 前記ヒ酸鉄化合物を析出させる工程は、結晶性のヒ酸鉄化合物が生成した後に銅含有物質を添加することを特徴とするヒ酸鉄化合物の製造方法。
IPC (1件):
C01G 49/00
FI (1件):
C01G49/00 A
Fターム (8件):
4G002AA06 ,  4G002AB03 ,  4K001AA03 ,  4K001BA19 ,  4K001BA21 ,  4K001DB22 ,  4K001DB23 ,  4K001JA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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