特許
J-GLOBAL ID：201103095904002431
回路基板、電気光学装置及び電子機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
, 宮坂 一彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-398522
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195775
特許番号：特許第4182467号
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、
前記基板の上方に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜の上方に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層の上方に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に設けられた第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の上方に設けられたドレイン電極と、
前記第1層間絶縁層と前記ドレイン電極の上方に設けられた第2層間絶縁膜と、
前記第2層間絶縁層の上方に設けられた画素電極と、
前記ドレイン電極の上方に設けられ、透光性を有する保護層と、を含み、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁層及び前記第1層間絶縁層にわたって設けられた第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され、
前記第1層間絶縁層の屈折率は、前記基板の屈折率より低く、
前記第2層間絶縁層の屈折率は、前記基板の屈折率より低く、
前記ドレイン電極は、前記第2層間絶縁層に設けられた第2のコンタクトホールを介して前記画素電極に接続されており、
前記第1層間絶縁層は、第1のSiO2膜と第2のSiO2膜とが積層して構成され、
前記第1のSiO2膜は、多孔性を有し、
前記第2のSiO2膜は、通常の減圧化学的気相成長法により形成されたこと、
を特徴とする回路基板。
IPC (7件)：
G09F 9/00 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 27/32 ( 200 6.01)
, G09F 9/33 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H05B 33/02 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
G09F 9/00 313
, G09F 9/30 365 Z
, G09F 9/33 Z
, H01L 29/78 619 A
, H05B 33/02
, H05B 33/14 A
