半導体不良原因絞込み方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：武顕次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026201
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223538
特許番号：特許第3492226号
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウェーハの電気検査の結果から求まるウェーハマップを、隣合うダイの不良カテゴリが等しいときにこれらのダイが含められるプロセスマージン起因領域と、縦横に隣接するダイの不良カテゴリがこれらダイによって囲まれたダイの不良カテゴリと異なる場合にこの囲まれたダイが含められる異物起因領域とに分け、該プロセスマージン起因領域での該電気検査のデータと該異物起因領域での該電気検査のデータとを比較して、不良原因を絞り込むことを特徴とする半導体不良原因絞込み方法。

IPC (1件)：