特許
J-GLOBAL ID：201103096735983432
パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-172165
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287869
出願日： 2009年07月23日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層11の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層12が配設され、この回路層12上にはんだ層2を介して半導体素子3が配設されるパワーモジュール用基板10であって、回路層12の一方の面には、ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層30が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の一方の面には、ガラスを含有するAgペーストの焼成体からなるAg焼成層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/36 C
, H01L23/40 F
5F136BB04
, 5F136BC02
, 5F136CB06
, 5F136DA27
, 5F136EA13
, 5F136EA41
, 5F136FA01
, 5F136FA02
, 5F136FA16
, 5F136FA81
, 5F136GA02
, 5F136GA40
