特許
J-GLOBAL ID:200903035422812303

放熱基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-117357
公開番号(公開出願番号):特開2008-277442
出願日: 2007年04月26日
公開日(公表日): 2008年11月13日
要約:
【課題】優れた放熱性能を得ることができる放熱基板を提供する。【解決手段】放熱基板10は、セラミック基板14の一面14aに金属回路15が接合されるとともに他面14bに金属板16が接合されて形成された回路基板11を備え、該回路基板11における金属回路15に半導体素子12が接合されている。回路基板11の表面を形成するセラミック基板14及び金属回路15の周面14c,15aには放熱用の凹凸部141,151が設けられている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
絶縁基板の一面に第1金属板が接合されるとともに他面に第2金属板が接合されて形成された回路基板を備え、該回路基板における前記第1金属板に半導体素子が接合された放熱基板であって、 前記回路基板の表面を形成する前記第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板のうちの少なくとも一つに放熱用の凹凸部が設けられている放熱基板。
IPC (2件):
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/36 C ,  H01L23/12 J
Fターム (12件):
5F136BA00 ,  5F136BB04 ,  5F136BB05 ,  5F136BC00 ,  5F136CB06 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16 ,  5F136FA18
引用特許:
出願人引用 (3件)

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