特許

J-GLOBAL ID：201103096935865000

光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置

発明者： 中原 健
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-012527
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151271
出願日： 2010年01月22日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】カルコパイライト型半導体を用いるとともに、より広範囲の光波長域の光も光電変換でき、より多くの撮像データが得られる光電変換装置およびその製造方法、および固体撮像装置を提供する。【解決手段】下部電極層25と、下部電極層25上に配置され、表面に高抵抗層242を有するカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜24と、化合物半導体薄膜24上に配置された透明電極層26と、層間絶縁層41、酸化亜鉛系化合物半導体薄膜42、電極43、44を備え、透明電極層26と下部電極層25間に逆バイアス電圧を印加して、前記透明電極層26と前記下部電極層25間及び前記電極42、43間に逆バイアス電圧を印加することにより、紫外領域光を光電変換して広帯域化する光電変換装置およびその製造方法、および光電変換装置を適用した固体撮像装置。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板上に形成された回路部と、 前記回路部上に配置された下部電極層と、 前記下部電極層上に配置されたカルコパイライト構造の化合物半導体薄膜からなる第1の光電変換層と、 前記第1の光電変換層上に配置された透明電極層と、 前記透明電極層上に形成された層間絶縁層と、 前記層間絶縁層上に形成された電極と、 前記電極上に形成されるとともに該電極と電気的に接続された酸化亜鉛系化合物半導体薄膜からなる第2の光電変換層とを備え、 前記下部電極層、前記第1の光電変換層、前記透明電極層、前記層間絶縁層、前記第2の光電変換層は、前記回路部上に順次積層されており、前記透明電極層と前記下部電極層間及び前記電極間に逆バイアス電圧を印加することにより、前記第2の光電変換層で紫外領域光を光電変換するとともに、前記第1の光電変換層で紫外領域よりも長波長の光を光電変換することを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/107 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L31/10 B ,  H01L27/14 E

Fターム (32件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118CA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118GA10 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118HA30 ,  5F049MA07 ,  5F049MB01 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA03 ,  5F049QA07 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049UA14 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F049WA09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-241777
  
• 光センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-082936   出願人：OKIセミコンダクタ株式会社
• 特開平3-241777