特許
J-GLOBAL ID:200903045539670629
光センサ
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-082936
公開番号(公開出願番号):特開2009-239003
出願日: 2008年03月27日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】紫外線センサと可視光センサを1チップ化した光センサを提供する。【解決手段】光センサ1は、半導体支持基板11と、半導体支持基板11上に埋め込み酸化膜12を介して配置されたSOI層13とからなるSOI基板10において、半導体支持基板11に形成された可視光センサ3と、SOI層13に形成された紫外線センサ5と、を有する。可視光センサ3は、第1可視光用フォトダイオード21、第2可視光用フォトダイオード22、及び第3可視光用フォトダイオード23を有する。紫外線センサ5は、紫外線用フォトダイオード41を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体支持基板と、前記半導体支持基板上に絶縁層を介して配置された半導体層とからなるSOI基板において、
前記半導体支持基板に形成された可視光センサと、
前記半導体層に形成された紫外線センサと、
を有する光センサ。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L31/10 D
, G01J1/02 B
, G01J1/02 G
Fターム (25件):
2G065AA04
, 2G065AB04
, 2G065AB05
, 2G065BA02
, 2G065BA09
, 2G065BA32
, 2G065BA36
, 2G065BE08
, 5F049MB08
, 5F049NA10
, 5F049NA20
, 5F049NB07
, 5F049PA10
, 5F049QA07
, 5F049QA20
, 5F049RA08
, 5F049SE05
, 5F049SE09
, 5F049SE20
, 5F049SS03
, 5F049UA04
, 5F049UA20
, 5F049WA03
, 5F049WA05
, 5F049WA09
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体紫外線センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-309363
出願人:浜松ホトニクス株式会社
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受光素子及び光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-061521
出願人:株式会社東芝
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-331630
出願人:株式会社デンソー
-
半導体光センサ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-281609
出願人:株式会社東芝
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審査官引用 (1件)
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-331630
出願人:株式会社デンソー
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