特許
J-GLOBAL ID：201103096972564517

単色中性ビームで活性化される化学プロセスシステム及び当該システムの使用方法

発明者：
チェン,リー

チェン,リー について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-500969
公開番号（公開出願番号）：特表2011-518408
出願日： 2009年03月20日
公開日（公表日）： 2011年06月23日
要約：
単色空間電荷で中性化された中性ビームで活性化される化学プロセスによって基板を処理する化学プロセスシステム及び当該化学プロセスシステムの使用方法が記載されている。当該化学プロセスシステムは、第1プラズマポテンシャルで第1プラズマを生成する第1プラズマチャンバ、及び、前記第1プラズマポテンシャルよりも大きい第2プラズマポテンシャルで第2プラズマを生成する第2プラズマチャンバを有する。前記第2プラズマは前記第1プラズマからの電子束を用いて生成される。さらに当該化学プロセスシステムは、前記第2プラズマチャンバ内に基板を設置するように備えられた基板ホルダを有する。
請求項（抜粋）：
基板を処理するように備えられた化学プロセスシステムであって: 第1圧力で第1プロセスガスを受け入れるように備えられた第1プラズマ領域を有するプラズマ生成チャンバ; 前記第1プラズマ領域からガスが流れる先に設けられ、かつ第2圧力で前記第1プラズマ領域から前記第1プロセスガスを受け入れるように備えられた第2プラズマ領域を有するプロセスチャンバ; 前記プラズマ生成チャンバと結合し、かつ前記第1プロセスガスを前記第1プラズマ領域に導入するように備えられた第1ガス注入システム; 前記プラズマ生成チャンバと結合し、かつ前記第1プロセスガスから前記第1プラズマ領域内で第1プラズマポテンシャルの第1プラズマを生成するように備えられたプラズマ生成システム; 前記第1プラズマ領域と前記第2プラズマ領域との間に設けられた分離部材であって、前記第1プラズマ領域から前記第2プラズマ領域への電子束が、第2プラズマポテンシャルの第2プラズマを生成することを可能にするように備えられた1つ以上の開口部を有する分離部材; 前記プロセスチャンバと結合し、かつ、前記電子束を制御するため、前記第2プラズマポテンシャルを前記第1プラズマポテンシャルよりも高くするように備えられたバイアス電極システム; 前記プロセスチャンバと結合し、かつ、前記第2プラズマ領域付近で前記基板を支持するように備えられた基板ホルダ;並びに、 前記プロセスチャンバと結合し、かつ、前記のプロセスチャンバ内の第2プラズマ領域を排気するように備えられた真空排気システム; を有する化学プロセスシステム。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H05H 3/02 ,  H01L 21/304
FI (5件)：
H05H1/46 L ,  H01L21/302 101C ,  H05H1/46 A ,  H05H3/02 ,  H01L21/304 645C
Fターム (23件)：
2G085BB02 ,  2G085BB17 ,  2G085BD01 ,  2G085DA03 ,  2G085EA08 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BB11 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA08 ,  5F004DA23 ,  5F157AC01 ,  5F157BG32 ,  5F157BH18 ,  5F157CE63 ,  5F157CF34 ,  5F157CF46 ,  5F157CF90
引用特許：
審査官引用 (3件)

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