情報記録再生装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊丹勝 , 田村和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-182131
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035284
出願日： 2009年08月05日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】高記録密度かつ低消費電力を実現した情報記録再生装置を提供する。【解決手段】情報記録再生装置は、電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第1の状態とこの第1の状態よりも高い抵抗値を持つ第2の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備える。前記記録層は、組成式AxMyX4(0.1≦x≦1.2、2<y≦2.9)で表される第1化合物層を含む。前記Aは、Mn(マンガン)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、及びCu(銅)のグループから選択される少なくとも1種類の元素である。前記Mは、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、Ti(チタン)、Ge(ゲルマニウム)、及びSn(スズ)のグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。前記Xは、O(酸素)であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第1の状態とこの第1の状態よりも高い抵抗値を持つ第2の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備え、前記記録層は、組成式AxMyX4(0.1≦x≦1.2、2<y≦2.9)で表される第1化合物層を含み、前記Aは、Mn(マンガン)、Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)、及びCu(銅)のグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、前記Mは、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)、Ti(チタン)、Ge(ゲルマニウム)、及びSn(スズ)のグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素であり、前記Xは、O(酸素)であることを特徴とする情報記録再生装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 , G11B 9/04 , G11C 13/00 , H01L 29/792 , H01L 29/788 , H01L 21/824

FI (4件)：

H01L27/10 451 , G11B9/04 , G11C13/00 A , H01L29/78 371

Fターム (21件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA10 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F101BA61 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BD36 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (1件)

情報記録再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155710 出願人：株式会社東芝

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