特許

J-GLOBAL ID：200903033401863231

情報記録再生装置

発明者： 塚本 隆之 ,  久保 光一 ,  鎌田 親義 ,  平井 隆大 ,  青木 伸也 ,  平岡 俊郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155710
公開番号（公開出願番号）：特開2008-310859
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】本発明は、高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様によれば、少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する前記陽イオン元素間の最短距離は0.32nm以下である第1化合物を含む第1の層を有する記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する電圧印加部と、前記記録層に電圧を印加する電極層と、前記記録層と前記電極層との間に設けられ、前記記録層の配向を制御する配向制御層と、が設けられていることを特徴とする情報記録再生装置が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類の陽イオン元素を有する複合化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたd軌道を有する遷移元素であり、隣接する前記陽イオン元素間の最短距離は0.32nm以下である第1化合物を含む第1の層を有する記録層と、 前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する電圧印加部と、 前記記録層に電圧を印加する電極層と、 前記記録層と前記電極層との間に設けられ、前記記録層の配向を制御する配向制御層と、 を備えたことを特徴とする情報記録再生装置。

IPC (3件)：

G11B 9/00 ,  G11C 13/00 ,  H01L 27/10

FI (3件)：

G11B9/00 ,  G11C13/00 A ,  H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-062131   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置及びメモリセルの書き込み並びに消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018645   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (1件)

• 可変抵抗薄膜素子およびそれを用いた不揮発性記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-004776   出願人：松下電器産業株式会社