特許

J-GLOBAL ID：201103097182052814

フォトリソグラフィパターンを形成する方法

発明者： セオクホ・カン ,  シャーロット・カトラー
出願人/特許権者： ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
代理人 (1件)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-046078
公開番号（公開出願番号）：特開2011-227465
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】電子デバイス製造に特別な適用可能性が見いだされるネガ現像プロセスを用いてフォトリソグラフィパターンを形成する方法の提供、及びこの方法によって形成されるコーティングされた基体および電子デバイスの提供。【解決手段】(a)パターン形成される1以上の層を基体表面上に含む基体を提供し;(b)酸により切断可能な基を含む樹脂と酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物の層を、前記パターン形成される1以上の層上に適用し;(c)前記フォトレジスト組成物層を化学線にパターン様(patternwise)に露光し;並びに、(d)前記フォトレジスト組成物層に現像剤を適用し、フォトレジスト層の未露光部分が現像剤によって除去され、前記パターン形成される1以上の層上にフォトレジストパターンを残す;ことを含む。現像剤は2-ヘプタノンおよび/または5-メチル-2-ヘキサノンを含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

(a)パターン形成される1以上の層を基体表面上に含む基体を提供し; (b)酸により切断可能な基を含む樹脂と酸発生剤とを含むフォトレジスト組成物の層を、前記パターン形成される1以上の層上に適用し; (c)前記フォトレジスト組成物層を化学線にパターン様に露光し;並びに、 (d)2-ヘプタノンおよび/または5-メチル-2-ヘキサノンを含む現像剤を前記フォトレジスト組成物層に適用し、フォトレジスト層の未露光部分が現像剤によって除去され、前記パターン形成される1以上の層上にフォトレジストパターンを残す;ことを含む、フォトリソグラフィパターンを形成する方法。

IPC (3件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 569E

Fターム (8件)：

2H125CA12 ,  2H125CB03 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125DA22 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  5F146LA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-103932   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-227196   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-105909   出願人：富士フイルム株式会社
• 感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-123542   出願人：富士フイルム株式会社