パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-103932
公開番号（公開出願番号）：特開2009-053657
出願日： 2008年04月11日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】ラインエッジラフネスが低減され、更に寸法均一性も高いパターンが形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物及び該方法に用いられる現像液を提供する。【解決手段】脂環式炭化水素構造を有し、分散度が1.7以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、露光工程、および、ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)脂環式炭化水素構造を有し、分散度が1.7以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する樹脂を含有する、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、および、 (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/30 , G03F 7/32 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R , H01L21/30 569E

Fターム (32件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025AD07 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025BJ04 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA16 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H096GA06 , 2H096GA09 , 2H096GA18 , 5F046LA12 , 5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (7件)

パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381798 出願人：株式会社ニコン
ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-285762 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-262027 出願人：ジェイエスアール株式会社

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