特許
J-GLOBAL ID：201103097476292546
半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102978
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298991
特許番号：特許第3892612号
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】電源電圧以上の電位差を有し、寄生容量を介して接続された第1、第2のノードと、
前記第1、第2のノードの相互間に接続され、前記第1、第2のノードをショートする第1のスイッチ回路と、
前記第1、第2のノードと接地間にそれぞれ設けられ、前記第1のスイッチ回路がオンとされた後にオンとされる第2、第3のスイッチ回路とを具備し、
前記第1のスイッチ回路は、
電流通路の一端が前記第1のノードに接続され、ショート時に耐圧条件を満たす電圧がゲートに供給される第1のNチャネルトランジスタと、
電流通路の一端が前記第2のノードに接続され、ショート時に耐圧条件を満たす電圧がゲートに供給される第2のNチャネルトランジスタと、
電流通路の両端が前記第1、第2のNチャネルトランジスタの電流通路の各他端に接続され、耐圧条件を満たす一定の電圧がゲートに供給されるPチャネルトランジスタと
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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