特許

J-GLOBAL ID：201103097521479148

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 河村 祥一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 古谷 史旺 ,  鈴木 榮祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000941
公開番号（公開出願番号）：特開2001-195892
特許番号：特許第3893005号
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 電気的にデータを書き換え可能な複数の不揮発性メモリセルを有する複数のメモリセル部と、 前記メモリセル部に対応してそれぞれ形成され、アドレス信号に応じて前記メモリセル部を選択するための選択信号を出力するデコーダを有する複数のデコード回路と、 前記各デコード回路内に形成され、正常に動作しない前記メモリセル部の不良情報を記憶する記憶部と、 前記不良情報を記憶する記憶部に対応するデコーダが前記選択信号を出力するときに、この選択信号に応答して不良ブロックフラグ信号を出力する出力回路と、 前記不良ブロックフラグ信号に基づいて、正常に動作しない前記メモリセル部へのアクセスを禁止するとともに内部動作を停止するアクセス禁止回路とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/04 ( 200 6.01) ,  G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G11C 29/00 603 J ,  G11C 29/00 603 Q ,  G06F 12/16 310 R ,  G11C 17/00 612 Z ,  G11C 17/00 639 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ディスク装置及びその論理/物理アドレス変換テ-ブル作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-009108   出願人：三菱電機株式会社