特許
J-GLOBAL ID：200903065903853905
半導体ディスク装置及びその論理/物理アドレス変換テ-ブル作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009108
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345174
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュメモリ等の不揮発性メモリにおけるMGMを使用すると共に、良品のセクタ又はブロックへのアクセスを高速に行うことができ、論理/物理アドレス変換テーブル作成時間の短縮を図ることができる半導体ディスク装置及びその論理/物理アドレス変換テーブル作成方法を得る。【解決手段】 メモリ部4における所定のアドレスのブロック又はセクタ内にすべての欠陥セクタアドレスを製造時に格納しておき、内部制御用CPU8は、該格納されたすべての欠陥セクタアドレスを用いて論理/物理アドレス変換テーブルをCPU用メモリ9に作成する。
請求項（抜粋）：
初期的な欠陥を所定の割合で許容したメモリデバイスであるMGMを使用した、情報処理機器等からなるホスト装置に使用される半導体ディスク装置において、上記ホスト装置とのインタフェースを行うインタフェース部と、電気的にデータの消去及び書き込みを行うMGMの不揮発性メモリで構成されたメモリ部と、上記インタフェース部を介してホスト装置とのデータの入出力を行うと共に、ホスト装置からの論理セクタアドレスの上記メモリ部に対する物理セクタアドレスへの変換やメモリ管理を行うコントロール部とを備え、上記メモリ部は、少なくとも1つの所定のセクタにあらかじめ欠陥セクタアドレス情報が格納され、上記コントロール部は、メモリ部に格納された欠陥セクタアドレス情報から論理/物理アドレス変換テーブルを作成することを特徴とする半導体ディスク装置。
IPC (4件)：
G06F 12/16 310
, G06F 3/06 306
, G06F 3/08
, G11C 16/02
G06F 12/16 310 R
, G06F 3/06 306 B
, G06F 3/08 H
, G11C 17/00 601 A
