特許

J-GLOBAL ID：201103097799863615

シリコンウエハの微小欠陥の評価方法

発明者： 荒木 延恵
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341743
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142544
特許番号：特許第3784300号
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 鏡面加工されたシリコンウエハ表層部に存在する微小欠陥を、光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの微小欠陥の評価方法において、 前記シリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出した後、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を形成したシリコンウエハ表面の光散乱体を、レーザ光散乱式表面検査装置を用いて検出し、酸化膜形成後にサイズが拡大した光散乱体および新たに検出された光散乱体をシリコンウエハ表層部に存在する微小欠陥と判定することを特徴とするシリコンウエハの微小欠陥の評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01B 11/30 ( 200 6.01) ,  G01N 21/956 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 J ,  G01B 11/30 A ,  G01N 21/956 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコンウエーハの結晶欠陥検出法および結晶欠陥評価法ならびに酸化膜耐圧特性評価法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-068885   出願人：信越半導体株式会社
• シリコンウエハ表面微細欠陥評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-283808   出願人：東芝セラミックス株式会社