半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平田忠雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168373
特許番号：特許第3589920号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】受光領域を形成する導波路構造を備えた半導体受光素子において、前記導波路構造が、薄膜化した一導電型のInGaAs光吸収層と、前記光吸収層を上下から挟持した一導電型のInGaAsPクラッド層と、前記光吸収層及び前記クラッド層を上下から挟持した逆導電型のInP層及び一導電型のInP層とからなるエピタキシャル構造を多層に積層した構成を有することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：