特許
J-GLOBAL ID:201103098014623110
p型ZnO単結晶およびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-576087
特許番号:特許第3540275号
出願日: 1999年10月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】酸化亜鉛(ZnO)の単結晶中に、窒素(N)からなるp型ドーパントと、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、および水素(H)のいずれか一つ以上からなるn型ドーパントとが含まれていることを特徴とするp型ZnO単結晶。
IPC (4件):
C30B 29/48
, H01L 21/363
, H01L 21/477
, H01L 33/00
FI (4件):
C30B 29/48
, H01L 21/363
, H01L 21/477
, H01L 33/00 D
前のページに戻る