半導体発光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132279
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323755
特許番号：特許第4304760号
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光透過性の基板の上に半導体薄膜層を積層するとともに、この積層膜の表面側にp側及びn側の電極をそれぞれ形成し、且つ前記基板側を主光取出し面とする半導体発光素子と、前記p側及びn側の電極にそれぞれ導通する一対の電極のパターンを一体に形成するとともに、前記半導体発光素子を搭載する合成樹脂製のマウントカップと、一対のリードのそれぞれの先端に前記マウントカップを搭載し且つ前記一対の電極パターンにそれぞれ導通するステーを形成したリードフレームとを含み、前記マウントカップに形成する一対の電極の間の間隔を前記リードフレームのステーどうしの間隔より短くしたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1件)：