特許
J-GLOBAL ID:201103098369322340

半導体装置の製造方法及び加工装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 特許業務法人 日東国際特許事務所 ,  小川 勝男 ,  高橋 明夫 ,  田中 恭助
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-101276
公開番号(公開出願番号):特開2000-117616
特許番号:特許第3770752号
出願日: 1999年04月08日
公開日(公表日): 2000年04月25日
請求項(抜粋):
【請求項1】 砥粒、当該砥粒を保持するための物質及び研磨加工屑を排出するポケットを形成する気孔から構成される砥石を、基板の表面に凹凸パターンが形成された半導体ウエハの表面上に押しつけて相対運動させて研磨し、上記凹凸パターンを平坦化する工程を有する半導体装置の製造方法において、 上記研磨中において、前記砥粒が遊離することにより研磨レートの低下した前記砥石の表面層を削り、新たな砥粒及びポケットを含む層を前記砥石の表面に露出させる表面活性化処理を行い、 当該表面活性化処理が施された表面を用いて前記半導体ウェハを研磨することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
B24B 37/00 ( 200 6.01) ,  B24B 37/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/304 ( 200 6.01)
FI (4件):
B24B 37/00 A ,  B24B 37/04 A ,  H01L 21/304 621 C ,  H01L 21/304 622 F
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開昭59-134650
  • 特開昭59-134650
  • 特開昭50-156082
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