特許
J-GLOBAL ID：201103098762914860
スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小越 勇
, 木下 洋平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-187592
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011610
特許番号：特許第3588011号
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Cuに、Ce、Dy、Er、La、Pr、Sc、Sr、Tb、Yの群から選択した1種類以上の元素を、総計で0.02〜10at%添加(但し、Scを単独添加する場合には、0.035at%以下(250wtppm以下)を除く)したことを特徴とする耐エレクトロマイグレーション特性に優れたCu合金配線形成用スパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, H01L 21/285 S
