特許
J-GLOBAL ID：201103098830246138
シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144546
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332074
特許番号：特許第3772587号
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン単結晶ウェーハに熱処理を施すことにより形成される酸素・窒素ドナーの濃度に基づいて、該シリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度を決定するシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハが成長中に窒素をドープしたCZシリコン単結晶ウェーハであり、前記熱処理を500〜800°Cの温度で行うとともに、前記熱処理の前に予め1000°C以上の温度で熱処理を行ない、前記熱処理前後のシリコン単結晶ウェーハの抵抗率を測定し、該抵抗率から前記酸素・窒素ドナーの濃度を算出することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ中の窒素濃度の評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
H01L 21/66 N
, H01L 21/324 N
