半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344754
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151586
特許番号：特許第3650022号
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板に素子分離溝を備える半導体装置の製造方法において、異方性エッチングによって前記半導体基板に垂直な溝を形成する工程と、前記エッチング条件を、前記基板の開口部に側壁保護膜をより形成しやすい条件に切り替えて当該基板をエッチングする工程とを備え、前記異方性エッチングは、塩素を含み且つ臭化水素を含まないエッチングガスを用いて行い、前記側壁保護膜をより形成しやすい条件でのエッチングは、前記エッチングガスに臭化水素を添加して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：