半導体装置の製造方法及びレーザアニール装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高橋敬四郎 , 来山幹雄 , 鵜飼伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052542
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187761
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】照射対象物の背面の過度の温度上昇を抑制し、かつ深い領域まで活性化させるのに適した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】照射対象物の表面へのレーザビームの入射を開始する。レーザビームが照射対象物に入射している期間に、レーザビームが入射している領域の表面温度に依存する物理量を測定する。測定された物理量に基づいて、レーザビームの照射を停止するか否かの判定を行う。レーザビームの照射を停止すると判定された場合には、レーザビームの照射を停止した後、ある待機時間経過後に、レーザビームの照射を再開する。レーザビームの照射を停止させないと判定された場合には、レーザビームの照射を継続する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

照射対象物の表面へのレーザビームの入射を開始する工程と、前記レーザビームが前記照射対象物に入射している期間に、前記レーザビームが入射している領域の表面温度に依存する物理量を測定する工程と、測定された前記物理量に基づいて、前記レーザビームの照射を停止するか否かの判定を行う工程と、前記レーザビームの照射を停止すると判定された場合には、前記レーザビームの照射を停止した後、ある待機時間経過後に、該レーザビームの照射を再開し、前記レーザビームの照射を停止させないと判定された場合には、前記レーザビームの照射を継続する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 21/336 , H01L 21/265

FI (6件)：

H01L21/268 T , H01L29/78 653A , H01L29/78 655B , H01L29/78 655C , H01L29/78 658A , H01L21/265 602C

引用特許：

審査官引用 (4件)

多結晶半導体膜と半導体素子の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-030762 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074595 出願人：株式会社東芝
レーザ放射によってアモルファス半導体を改質するための方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-251564 出願人：株式会社日本製鋼所, イノバベント・ゲーエムベーハー

全件表示

前のページに戻る