特許

J-GLOBAL ID：201103099396536684

半導体ウェハのダイシング

発明者： ボイル、エイドリアン ,  キャラハン、ジョセフ ,  マキャナン、フィンタン
出願人/特許権者： エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人湘洋内外特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-506721
公開番号（公開出願番号）：特表2011-519175
出願日： 2009年04月30日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：

半導体ウェハのダイシング方法であって、1ピコ秒乃至1000ピコ秒のパルス幅で、スクライビング対象のマテリアルの熱緩和時間よりも短いパルス間隔に相当する繰り返し周波長のレーザーを用いて、ウェハの表面からマテリアルを除去するために、ダイスレーンに沿って少なくとも一層の誘導体層に対してスクライビングを行う方法。その後、このウェハは、金属層を通って、かつ少なくとも部分的に半導体ウェハの基板を通って、ダイシングされる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体ウェハのダイシング方法であって、 a.1ピコ秒乃至1000ピコ秒のパルス幅で、スクライブ対象のマテリアルの熱緩和時間よりも短いパルス間隔に相当する繰り返し周波長のレーザーを用いて、ウェハの表面からマテリアルを除去するために、ダイスレーンに沿って少なくとも一層の誘導体層に対してスクライビングを行う工程と、 b.金属層を通って、かつ少なくとも部分的に半導体ウェハの基板を通って、ダイシングを行う工程を備えることを特徴とするダイシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/08

FI (6件)：

H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 H ,  B23K26/08 K ,  B23K26/00 N

Fターム (5件)：

4E068AD00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA04 ,  4E068CE08 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-040548
  
• 板状体切断方法並びにレーザ加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-129396   出願人：サイバーレーザー株式会社
• 超精密加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162265   出願人：三菱重工業株式会社