特許

J-GLOBAL ID：201103099782367846

不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法

発明者： 佐藤 則忠 ,  大平 浩一 ,  松井 文哉 ,  前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227618
特許番号：特許第3088721号
出願日： 1999年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 リン、ボロン、アンチモン、砒素、ガリウム、アルミニウム、若しくはゲルマニウムのうち何れか一の元素、又は前記元素のうち何れか一以上を含む不純物含有ガスを供給する不純物含有ガス供給部と、前記不純物含有ガス供給部と接続された不純物含有ガスの導入口と、前記不純物含有ガスを用いてイオン注入し、或いはドーピングし、又はその上に成膜する被処理層を保持する基板保持具とを備えたチャンバとを有する不純物処理装置において、不純物含有ガスを用いた処理により生じた反応生成物を除去する処理ガスの供給部として水分含有ガスを供給する水分含有ガス供給部のみを有し、かつ、前記チャンバには前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記基板保持具よりも上流に設けられた、前記水分含有ガス供給部と接続された水分含有ガスの導入口と、前記不純物含有ガスの流れの向きに従って前記水分含有ガスの導入口から前記基板保持具に至る間に設けられた、前記水分含有ガスをプラズマ化する第1のプラズマ生成手段とが備えられていることを特徴とする不純物処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 603

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 603 C ,  H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• クリーニング方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-173529   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-232572   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社