研究者
J-GLOBAL ID：201201021966719061   更新日: 2024年03月27日

赤澤 正道

アカザワ マサミチ | Akazawa Masamichi
所属機関・部署：
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子マルチメディアシステム研究分野

北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 量子マルチメディアシステム研究分野 について


職名： 准教授
研究分野 (5件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電子デバイス、電子機器 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (17件)： GaN ,  表面不活性化 ,  界面 ,  表面 ,  XPS ,  MOS ,  Al2O3 ,  InAlN ,  窒化物半導体 ,  界面準位 ,  InGaAs ,  GaAs ,  MIS ,  テラヘルツ ,  InP ,  デバイス ,  ヘテロ界面
競争的資金等の研究課題 (40件)：
  • 2023 - 2026 窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
  • 2021 - 2025 革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業(パワーデバイス領域)
  • 2022 - 2023 GaN結晶の表面近傍点欠陥の評価・低減に関する研究
  • 2020 - 2021 パワーデバイス向け窒化物半導体上シリコン熱酸化膜形成技術の確立
  • 2016 - 2021 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発(パワーデバイス・システム領域)
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論文 (117件)：
  • Yuliu Luo, Yuki Hatakeyama, Masamichi Akazawa. Effects of low-temperature annealing on net doping profile of Mg-ion-implanted GaN studied by MOS capacitance-voltage measurement. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. 12. 126501-1-126501-6
  • Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato. Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques. Applied Physics Express. 2023. 16. 9. 091002-1-091002-2
  • Y. Hatakeyama, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi, M. Akazawa. Investigation of gap states near conduction band edge in vicinity of interface between Mg-ion-implanted GaN and Al2O3 deposited after ultra-high-pressure annealing. Jpn. J. Appl. Phys. 2023. 62. SN. SN1002-1-SN1002-7
  • Yuki Hatakeyama, Masamichi Akazawa. Interface state density distribution near conduction band edge at Al2O3/Mg-ion-implanted GaN interface formed after activation annealing using AlN cap layer. AIP Advances. 2022. 12. 12. 125224-1-125224-7
  • Masamichi Akazawa, Yuya Tamamura, Takahide Nukariya, Kouta Kubo, Taketomo Sato, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi. Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance-voltage method. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 19. 195302-1-195302-10
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MISC (44件)：
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特許 (1件)：
  • 電界効果トランジスタおよびその製造方法
書籍 (2件)：
  • 第2版 応用物理ハンドブック 応用物理学会編
    丸善 2002
  • 電子情報通信ハンドブック 6-13編 新概念集積回路
    オーム社 1998
講演・口頭発表等 (267件)：
  • Effects of SiO<sub>2</sub>-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-type GaN Interfaces
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3-7, 2024) 2024)
  • MOS-structure based study of defects in Mg-ion-implanted GaN
    (International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023, Nagoya University, Nagoya, Japan, December 1-3, 2023) 2023)
  • MOS interface technologies for high-power and high-frequency GaN transistors (invited)
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023) 2023)
  • Interface Properties of p-type GaN MOS Structures Examined by Sub-Bandgap-Light-Assisted Capacitance-Voltage Measurement
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023). 2023)
  • Detection of Gap States Originated from Ga-Interstitial and Divacancy Defects in Mg-Implanted GaN Using MOS Structures
    (14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023). 2023)
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学歴 (2件)：
  • 1988 - 1988 北海道大学 工学研究科 電気工学専攻
  • 1984 - 1988 北海道大学 工学部 電気工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (北海道大学)
経歴 (2件)：
  • 1995/04 - 現在 北海道大学 准教授
  • 1988/11 - 1995/03 北海道大学 助手
委員歴 (8件)：
  • 2019/08 - 現在 The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) ICNS-14現地実行委員
  • 1995/05 - 現在 電子情報通信学会 ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
  • 2020/09 - 2021/11 固体素子材料コンファレンス 実行総務
  • 2014/11 - 2015/10 2015年固体素子・材料コンファレンス 実行委員
  • 2002/05 - 2003/05 電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事
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受賞 (6件)：
  • 2024/03 - 16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3-7, 2024) The Best Poster Presentation Award "Effects of SiO<sub>2</sub>-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/p-type GaN Interfaces"
  • 2023/03 - 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5-9, 2023) The Best Poster Presentation Awards "Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Mg-ion-implanted GaN interface"
  • 2016/09 - 応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞 "Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors"
  • 2013/05 - CSManTech 2013 Paper Awards (He Bong Kim Award) "Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces"
  • 1998/10 - the 5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA '98) Best Paper Award "A Functional Neuro-MOS Circuit for Implementing Cellular-Automaton Picture-Processing Devices"
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所属学会 (3件)：
電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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