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J-GLOBAL ID：201202125853508157   整理番号：12A1416986

原子間力顕微鏡を用いたダイヤモンド表面水素終端伝導層上でのサイドゲートFETの動作機構

著者 (13件)： 坂野時習 (早稲田大 理工) ,  福田徹 (早稲田大 理工) ,  福田徹 (JST-CREST) ,  須方健太 (早稲田大 理工) ,  須方健太 (JST-CREST) ,  瀬尾北斗 (早稲田大 理工) ,  瀬尾北斗 (JST-CREST) ,  梅沢仁 (早稲田大 理工) ,  梅沢仁 (JST-CREST) ,  立木実 (早稲田大 理工) ,  立木実 (JST-CREST) ,  川原田洋 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 48th  号： 2  ページ： 588  発行年： 2001年03月28日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子間力顕微鏡 ,  ダイヤモンド ,  水素終端 ,  伝導 ,  サイドゲート ,  FET