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J-GLOBAL ID：201202145062800866   整理番号：12A1345974

Si(111)表面に生成されたArイオン照射欠陥のサイズとその経時変化の基板温度依存性

著者 (7件)： 内ケ崎誠 (早稲田大 理工) ,  山脇卓也 (早稲田大 理工) ,  嶋田一義 (早稲田大 理工) ,  石丸哲也 (早大 材研) ,  渡邉孝信 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 61st  号： 2  ページ： 542  発行年： 2000年09月03日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Arイオン ,  照射欠陥 ,  サイズ ,  経時変化 ,  温度依存性