研究者
J-GLOBAL ID:201301020240960275
更新日: 2024年01月30日
嶋田 一義
シマダ カズヨシ | Shimada Kazuyoshi
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所属機関・部署:
早稲田大学 理工学部
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職名:
助手
ホームページURL (1件):
http://kaken.nii.ac.jp/d/r/40308200.ja.html
研究分野 (1件):
薄膜、表面界面物性
研究キーワード (6件):
イオン照射
, 半導体表面
, 表面改質
, シリコン
, 欠陥
, 走査トンネル顕微鏡
競争的資金等の研究課題 (1件):
1999 - 2001 ナノスケール表面改質のためのイオン照射下高温STM観察
MISC (2件):
大泊 巌, 嶋田 一義, 石丸 哲也. Si(111)-n×n構造についての新しい実験事実とその解釈. 真空. 1999. 42. 6. 603-607
津久井 克幸, 平林 修, 遠藤 和彦, 嶋田 一義, 八木 信昭, 粟飯原 大, 大坂 敏明, 大泊 巌. 13a-PS-2 Si(111)1x1-7x7表面構造相転移に及ぼす酸素の影響. 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会. 1993. 1993. 2. 497-497
経歴 (1件):
1999 - 2000 早稲田大学 理工学部 助手
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