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J-GLOBAL ID：201202200063241551   整理番号：12A0655832

ボトムゲートIGZO系TFTの作製用の2マスクプロセス

A Two-Mask Process for Fabrication of Bottom-Gate IGZO-Based TFTs

著者 (4件)： UHM Hyun-Seok (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  LEE Sang-Hyuk (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  KIM Won (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  PARK Jin-Seok (Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 4  ページ： 543-545  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトマスク2枚だけの使用でボトムゲート型透明酸化物TFTを作製できる簡易プロセスを提示した。グレートーンマスクを用いた一回のフォトリソグラフィーにより,活性チャネル層(IGZO),ソース-ドレイン層,画素電極層を同時に形成することで実現した。作製したTFTは機能動作し,以下の好ましい性能を得た。閾値電圧4.13V,サブ閾値スイング0.59V/dec,電界効果移動度12.41cm²/V・s,UV・可視透過率>85%。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *化合物半導体 ,  *酸化物 ,  ゲート【半導体】 ,  フォトマスク ,  半導体プロセス ,  パターン形成 ,  透過率
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  ボトムゲート ,  *透明導電性酸化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ボトムゲート ,  IGZO ,  TFT ,  作製 ,  マスク ,  プロセス