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J-GLOBAL ID：201202200511410416   整理番号：12A0594479

0.13μmSiGe BiCMOSを使った利得増強132~160GHz低雑音増幅器

Gain-enhanced 132-160GHz low-noise amplifier using 0.13μm SiGe BiCMOS

著者 (5件)： ZHANG Bo (Xi’an Univ. Posts and Telecommunications, Xi’an, CHN) ,  XIONG Yong-Zhong (Microarray Technol., Chengdu, CHN) ,  WANG Lei (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  HU Sangming (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  LI Le-Wei (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 5  ページ： 257-259  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.13μmSiGe BiCMOSで低雑音増幅器(LNA)を製作した。高い利得と低消費電力のために利得増強技術と3D接地シールド構造を採用した。さらに,シリコン面積とマッチング損失を減らすためにマッチングとバイアスのネットワークを結合した。回路は1.2Vで12mAのDC電流を引出す。増幅器は145GHzにおいて28GHzの3dB帯域幅で21dBの利得を達成し,雑音指数は8.5dBである。LNAの性能指数FoMは5.41であり,報告されている90GHz以上で動作するシリコンのLNAの中では最も高い。

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *BiCMOS ,  *低雑音増幅器 ,  利得 ,  雑音指数 ,  性能指数
準シソーラス用語： LNA ,  SiGe

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： BiCMOS ,  利得 ,  増強 ,  低雑音増幅器